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[00295830]一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201510244410.5

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 湖南大学

进入空间

所在地:湖南长沙

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

摘要:本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法。在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元,所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻,所述限流电阻一端连接所述高速硅基场控器件的源极,另一端连接所述高速硅基场控器件的漏极;所述碳化硅双极结型晶体管的集电极与电流检测器件连接,所述电流检测器件与所述高速硅基场控器件的栅极和源极连接。通过碳化硅双极结型晶体管基极驱动电流根据集电极电流的正比变化,很大程度上降低了基极驱动功耗,同时有效的降低了实现基极驱动电流变化的成本,而且基本消除了时间延迟。
摘要:本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法。在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元,所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻,所述限流电阻一端连接所述高速硅基场控器件的源极,另一端连接所述高速硅基场控器件的漏极;所述碳化硅双极结型晶体管的集电极与电流检测器件连接,所述电流检测器件与所述高速硅基场控器件的栅极和源极连接。通过碳化硅双极结型晶体管基极驱动电流根据集电极电流的正比变化,很大程度上降低了基极驱动功耗,同时有效的降低了实现基极驱动电流变化的成本,而且基本消除了时间延迟。

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