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[00285741]一种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201510677976.7

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 华中科技大学

进入空间

所在地:湖北武汉

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法,利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结,在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现,金属钯薄膜采用磁控溅射法实现,钯薄膜作为背电极,金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高,制备方法简单易行,成本低,具有广泛应用前景。
摘要:本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法,利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结,在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现,金属钯薄膜采用磁控溅射法实现,钯薄膜作为背电极,金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高,制备方法简单易行,成本低,具有广泛应用前景。

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