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[00285740]一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201510678656.3

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 华中科技大学

进入空间

所在地:湖北武汉

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法,化学气相沉积(CVD)方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜,该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控,制备的二硫化钼/ 硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点,在降低器件成本的同时,能够实现太阳能的有效转换。
摘要:本发明公开了一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法,化学气相沉积(CVD)方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜,该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控,制备的二硫化钼/ 硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点,在降低器件成本的同时,能够实现太阳能的有效转换。

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