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[00285739]一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710471122.2

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 华中科技大学

进入空间

所在地:湖北武汉

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

摘要:本发明主要属于纳米光电器件制备领域,具体涉及一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法。通过人工生成的纳米孔阵列膜(支撑层)制备获得纳米筛掩模;将制备好的纳米筛掩模转移到光电器件上得到样片;采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀;利用物理或者化学方法去除纳米筛掩模,在光电器件上得到纳米阵列结构。本发明通过人工低成本获得的纳米筛做掩模,采用纳米加工技术,制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列,从而获得纳米结构光电器件。该技术的发现与突破,将使得大面积、低成本制备半导体表面有序纳米结构阵列成为可能,对推动纳米结构半导体器件的应用意义重大。
摘要:本发明主要属于纳米光电器件制备领域,具体涉及一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法。通过人工生成的纳米孔阵列膜(支撑层)制备获得纳米筛掩模;将制备好的纳米筛掩模转移到光电器件上得到样片;采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀;利用物理或者化学方法去除纳米筛掩模,在光电器件上得到纳米阵列结构。本发明通过人工低成本获得的纳米筛做掩模,采用纳米加工技术,制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列,从而获得纳米结构光电器件。该技术的发现与突破,将使得大面积、低成本制备半导体表面有序纳米结构阵列成为可能,对推动纳米结构半导体器件的应用意义重大。

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