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[00285738]一种三维量子阱结构光电裸芯片

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 实用新型专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201320224161.X

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 华中科技大学

进入空间

所在地:湖北武汉

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

摘要:一种三维量子阱结构光电裸芯片,属于一种量子阱结构光电裸芯片,解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括:衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层、p型层,所述衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层和p型层表面形状走向一致,均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列,或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。本实用新型增大了衬底层工作面积,在其上直接生长一层缓冲层来进行应力与晶格匹配,克服了工作面积与衬底面积之比较低所带来的量子转换效率低的问题;本实用新型工艺简单、成本低,工作面积与衬底面积之比较高,量子转换效率高。
摘要:一种三维量子阱结构光电裸芯片,属于一种量子阱结构光电裸芯片,解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括:衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层、p型层,所述衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层和p型层表面形状走向一致,均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列,或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。本实用新型增大了衬底层工作面积,在其上直接生长一层缓冲层来进行应力与晶格匹配,克服了工作面积与衬底面积之比较低所带来的量子转换效率低的问题;本实用新型工艺简单、成本低,工作面积与衬底面积之比较高,量子转换效率高。

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